标准编号：GB/T 14142-1993
中文名称：硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法
英文名称：Test method for crystallographic perfection of epit-axial layers in silicon by etching techniques
发布日期：1993-02-06
实施日期：1993-10-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：国家标准化管理委员会
起草单位
峨眉半导体材料研究所
标准范围
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm测量范围为010000cm<上标2>。
立即下载标准文件