标准编号：GB/T 43536.3-2026
中文名称：三维集成电路 第3部分：硅通孔模型及测试方法
英文名称：Three dimensional integrated circuits—Part 3：Model and measurement methods of through-silicon via
发布日期：2026-07-30
实施日期：2027-02-01
提出单位：工业和信息化部（电子）
归口单位：全国集成电路标准化技术委员会
批准发布部门：工业和信息化部（电子）
起草人
李锟、王琪、杨晓锋、陈哲、陈为玉、赵毅、孙鹏、陈天放、张宸睿、吕军、范剑峰
起草单位
中国电子技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所、深圳市埃芯半导体科技有限公司、物元半导体技术（青岛）有限公司、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、厦门优迅芯片股份有限公司、苏州科阳半导体有限公司、珠海硅芯科技有限公司
标准范围
本文件规定了进行数字信号收发的硅通孔（TSV）的电气特性参考模型，用于三维集成电路（3D IC）接口设计，并描述了3D IC中表征TSV特性的电阻和电容的测试方法。
适用于本文件的三维集成电路如下：应用：数字消费和移动设备；工作电压：0.1 V~5.0 V；工作频率：小于2.0 GHz。
本文件不适用于测试设备。图1是一个多芯片互连系统的典型示例，用于后续规范的说明。
标准预览图
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