标准编号：GB/T 42709.35-2026
中文名称：半导体器件 微电子机械器件 第35部分：柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法
英文名称：Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 35: Test method of electrical characteristics under bending deformation for flexible electro-mechanical devices
发布日期：2026-07-30
实施日期：2027-02-01
提出单位：工业和信息化部（电子）
归口单位：全国集成电路标准化技术委员会、全国微机电技术标准化技术委员会
批准发布部门：工业和信息化部（电子）
起草人
刘若冰、王冠鹰、曾敏毓、王玮、喻泷
起草单位
中国电子技术标准化研究院、北京大学、广东龙谊联接技术股份有限公司、中国电力科学研究院有限公司、深圳鼎晶科技有限公司
标准范围
本文件描述了柔性MEMS器件在弯曲形变下的电特性测试方法，包括位于柔性薄膜上或嵌入柔性薄膜中的无源和（或）有源器件。
本文件适用的器件的水平尺寸典型范围为1 mm~300 mm，垂直尺寸典型范围为10 μm~1 mm，但这并不是被测器件的极限值。本测试方法是将器件以准静态的方式单向弯曲直至达到最大可能曲率，即器件完全弯折，以获得器件在弯曲变形下电特性的全部损耗特性。本文件对器件在一定弯曲变形下的安全性评价，以及对使用这些器件的产品的可靠性设计有重要意义。
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