标准编号：GB/T 8760-2006
代替以下标准：GB/T 8760-1988
中文名称：砷化镓单晶位错密度的测量方法
英文名称：Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density
发布日期：2006-07-18
实施日期：2006-11-01
归口单位：中国有色金属工业协会
批准发布部门：中国有色金属工业协会
起草人
王彤涵
起草单位
北京有色金属研究总院
标准范围
本标准适用于位错密度为（0～1000000）个/cm<上标2>的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。
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