标准编号：GB/T 45719-2025
中文名称：半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验
英文名称：Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
发布日期：2025-05-30
实施日期：2025-09-01
提出单位：工业和信息化部（电子）
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
批准发布部门：工业和信息化部（电子）
起草人
路国光、章晓文、杨少华、彭超、来萍、梁斌、晋李华、林晓玲、游海龙、肖庆中、韦覃如、张魁、赵文斌
起草单位
工业和信息化部电子第五研究所、国防科技大学、中国电子科技集团公司第五十八研究所、西安电子科技大学、河北北芯半导体科技有限公司
标准范围
本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法，该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。
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