标准编号：GB/T 14142-2017
代替以下标准：GB/T 14142-1993
中文名称：硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
英文名称：Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
发布日期：2017-09-29
实施日期：2018-04-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：国家标准化管理委员会
起草人
马林宝、骆红、陈赫、张海英、杨帆、刘小青
起草单位
南京国盛电子有研公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、有研半导体材料有限公司
标准范围
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。
本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2μm，缺陷密度的测试范围0~10000cm-2。
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