标准编号：GB/T 30867-2014
中文名称：碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
英文名称：Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
发布日期：2014-07-24
实施日期：2015-02-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：国家标准化管理委员会
起草人
丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴
起草单位
中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院
标准范围
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。 本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm～1mm的碳化硅单晶片。
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