标准编号：GB/T 29332-2012
中文名称：半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
英文名称：Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
发布日期：2012-12-31
实施日期：2013-06-01
归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会
批准发布部门：工业和信息化部（电子）
起草人
蔚红旗、张立、王晓宝、秦贤满、陈子颖、乜连波
起草单位
西安电力电子技术研究所、英飞凌科技（中国）有限公司、江苏宏微科技有限公司、西安爱帕克电力电子有限公司、威海新佳电子有限公司
标准范围
本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。
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