标准编号：GB/T 26066-2010
中文名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
英文名称：practice for shallow etch pit detection on silicon
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：国家标准化管理委员会
起草人
田素霞、张静雯、王文卫、周涛
起草单位
洛阳单晶硅有限责任公司
标准范围
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测<111>或<100>晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于O．OOlΩ?cm。
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