标准编号：GB/T 19444-2004
中文名称：硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法
英文名称：Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
发布日期：2004-02-05
实施日期：2004-07-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：国家标准化管理委员会
起草单位
洛阳单晶硅有限责任公司
标准范围
本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。 本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。
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