标准编号：GB/T 14863-1993
中文名称：用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
英文名称：Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
发布日期：1993-12-30
实施日期：1994-10-01
归口单位：工业和信息化部（电子）
批准发布部门：工业和信息化部（电子）
起草单位
机械电子工业部46所和4所
标准范围
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流了浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录B）的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。
立即下载标准文件