标准编号：GB/T 11297.7-1989
中文名称：锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
英文名称：Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals
发布日期：1989-03-31
实施日期：1990-01-01
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：国家标准化管理委员会
起草单位
航空航天部8358研究所
标准范围
本方法适用于长方体和薄片锑化铟单晶样品的电阻率和霍耳系数的测量。本方法所采用的样品是从锑化铟单晶中切割制备的，在特定位置上施加电极接触，用直流方法测量样品的电阻率和霍耳系数，而后计算该样品的载流子浓度和载流子迁移率。本方法适用于电阻率10<上标-3>～10<上标2>Ω·cm的锑化铟单晶样品。
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