GB/T 48345-2026 用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片

标准编号：GB/T 48345-2026

中文名称：用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片

英文名称：GaN on Si epitaxial wafers for HEMT power devices

发布日期：2026-09-28

实施日期：2027-04-01

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

批准发布部门：国家标准委

起草人

向鹏、程凯、郑晨焱、叶念慈、黄火林、刘扬、施宜军、刘强、夏远洋、杨露、高伟、张铭宏、贺致远、陈正昊、康玄武、宋占洋、陈显平

起草单位

苏州晶湛半导体有限公司、华润微电子（重庆）有限公司、珠海镓未来科技有限公司、大连理工大学、北京中博芯半导体科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、南京盛鑫半导体材料有限公司、江苏能华微电子科技发展有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、厦门市三安集成电路有限公司、广东工业大学、中山大学、中国科学院微电子研究所、北京大学东莞光电研究院、重庆平创半导体研究院有限责任公司

标准范围

本文件规定了用于高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件的硅衬底氮化镓外延片（以下简称“氮化镓外延片”）的分类、技术要求、试验方法、检验规则标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。

本文件适用于在硅衬底上生长的用于功率电子领域高电子迁移率晶体管的氨化镓外延片。

标准预览图