GB/T 48163.2-2026 半导体器件能量收集和产生半导体器件第2部分：基于热功率的热电能量收集器

标准编号：GB/T 48163.2-2026

中文名称：半导体器件能量收集和产生半导体器件第2部分：基于热功率的热电能量收集器

英文名称：Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 2: Thermo power based thermoelectric energy harvesting

发布日期：2026-09-28

实施日期：2027-04-01

提出单位：工业和信息化部（电子）

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

批准发布部门：工业和信息化部（电子）

起草人

张欢、彭浩、胡松祥、张魁、柳华光、安伟、方东明、赵海龙、杨振宝、张七利、姚玉、张红刚、席善斌、李潮、尹丽晶、冉红雷、张威、张亚婷、高蕾、褚昆、江涛、高峰、韩宝妮、何婷

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本文件规定了微型热电能量发生器、微型加热器和微型冷却器中薄膜热功率的定义和测试步骤，以及用于评估线、块、厚度小于5μm的薄膜和具有热电薄膜的能量收集器件热电性能的测试方法和性能参数。

本文件适用于消费、工业、军事和航空航天领域中的能量收集器件，对器件技术及尺寸不作限制。