标准编号:GB/T 46567.2-2026

中文名称:智能计算 忆阻器测试方法 第2部分:线性度

英文名称:Intelligent computing—Test method for memristor—Part 2:Linearity

发布日期:2026-04-30

实施日期:2026-11-01

提出单位:全国智能计算标准化工作组

归口单位:全国智能计算标准化工作组

批准发布部门:国家标准委

起草人

王忠新、许晓欣、马小雯、陈鹏、闫小兵、李清江、顾海林、董红梁、周兰、蒙贵云、李莹、刘琦、张乾、王斌强、杨明、冯杰、刘洪杰、孙文绚、时拓、王中强、王明、钟鑫、刘山佳、黄唯静、张九六、张丽静、徐海阳、王义楠、杨彪、张明明、滕耘、刘海连、周芃

起草单位

中国科学院微电子研究所、浙江大学、河北大学、复旦大学、杭州国磊半导体设备有限公司、中国信息通信研究院、浪潮电子信息产业股份有限公司、中移(苏州)软件技术有限公司、深圳陆兮科技有限公司、北京云之印科技有限公司、之江实验室、国防科技大学、东北师范大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、上海复旦微电子集团股份有限公司、中移(杭州)信息技术有限公司、天翼云科技有限公司、中国计量大学、深圳市九天睿芯科技有限公司

标准范围

本文件描述了忆阻器在连续施加电脉冲进行长时程增强或长时程抑制操作时,电导变化的线性度的测试方法。

本文件适用于两端型双极性忆阻器线性度的测试。

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