T/CASAS 053-2025 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法

标准编号：T/CASAS 053-2025

中文名称：氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法

英文名称：Test method for dislocation density of polished AlN wafer—Etching pit method

发布日期：2025-05-20

实施日期：2025-05-20

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

王琦琨、吴亮、周振翔、于彤军、程红娟、武红磊、刘志彬、张雷、王广、张童、倪逸舟、岳金顺、王新强、宋德鹏、高伟

起草单位

奥趋光电技术（杭州）有限公司、北京中材人工晶体研究院有限公司、北京大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、深圳大学、中国科学院半导体研究所、山东大学、中国人民解放军国防科技大学、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、至芯半导体（杭州）有限公司、苏州紫灿科技有限公司、北京大学东莞光电研究院、山东力冠微电子装备有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

标准范围

本文件描述了用择优化腐蚀技术测试氮化铝抛光片中位错密度的方法。

本文件适用于抛光加工后位错密度小于10⁷个/cm²的氮化铝抛光片位错密度的测试，适用于1inch、2inch、3inch、4inch直径氮化铝抛光片的测试。氮化铝外延片可参照使用。

标准预览图