GB/T 11073-2025 硅片径向电阻率变化测量方法

标准编号：GB/T 11073-2025

代替以下标准：GB/T 11073-2007

中文名称：硅片径向电阻率变化测量方法

英文名称：Test method for measuring radial resistivity variation on silicon wafers

发布日期：2025-10-31

实施日期：2026-05-01

提出单位：国家标准委

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会、全国有色金属标准化技术委员会

批准发布部门：国家标准委

起草人

方丽霞、郭可、张志林、寇文杰、邓春星、黄笑容、冯天、尚海波、马武祥、邢胜昌、王江华、朱晓彤、潘金平、李慎重、马金峰

起草单位

麦斯克电子材料股份有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、中环领先半导体科技股份有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司、广东先导微电子科技有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、山东有研艾斯半导体材料有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司

标准范围

本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。

本文件适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、室温电阻率在3×10^-4 Ω·cm～1.8×10⁴ Ω·cm的p型硅单晶片及室温电阻率在6×10^-3 Ω·cm～1×10⁵ Ω·cm的n型硅单晶片的径向电阻率变化的测量。硅单晶片其他范围电阻率的测量参照本文件进行。

标准预览图