GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

标准编号：GB/T 4326-2025

代替以下标准：GB/T 4326-2006

中文名称：非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

英文名称：Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient

发布日期：2025-10-31

实施日期：2026-05-01

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会、全国有色金属标准化技术委员会

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会、全国有色金属标准化技术委员会

批准发布部门：国家标准委

起草人

林泉、王博、王阳、刘国龙、黄文文、王金灵、赵中阳、胡世鹏、马远飞、李素青、周铁军、王宇、刘京明、韩庆辉、莫杰、朱晨阳

有研国晶辉新材料有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东先导微电子科技有限公司、晶澳太阳能科技股份有限公司、深圳大学、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所、大庆溢泰半导体材料有限公司

本文件描述了非本征半导体单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量方法。

本文件适用于硅、锗、砷化镓、磷化镓、磷化铟、锑化镓、锑化铟、硫化镉、氧化镓、碳化硅、氮化镓单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量，也适用于电阻率小于10⁸Ω·cm的其他半导体单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量。