标准编号：T/CPSS 1018-2025
中文名称：半导体制造用等离子体工艺射频电源动态阻抗测试方法
英文名称：Test methods for dynamic impedance of RF generator applied in semiconductor manufacturing plasma process
发布日期：2025-08-22
实施日期：2025-08-23
团体名称：中国电源学会
起草人
乐卫平、林伟群、黄永镇、张桂东、高飞、张赛谦、郭东、王佳航、汪昌州、朱建明、朱刚毅、孙桂红、梁红、陈立、潘振强、李志荣、梁洁、冼健威、李国强、汪洪亮
起草单位
深圳市恒运昌真空技术有限公司、广东工业大学、大连理工大学、拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司、上海陛通半导体能源科技股份有限公司、肇庆市科润真空设备有限公司、广东腾胜科技创新有限公司、湘潭宏大真空技术股份有限公司、广东振华科技股份有限公司、广东汇成真空科技股份有限公司、.上海邦芯半导体科技有限公司、东莞市晟鼎精密仪器有限公司、湖南玉丰真空科学技术有限公司、湖南大学
标准范围
本文件规定了半导体制造等离子体工艺射频电源动态阻抗测试方法的术语和定义、原理、测试环境条件、仪器设备、测试方法、测试报告等技术内容。
本文件适用于半导体刻蚀、薄膜沉积制程工艺等应用场景中，输出中心频率为400kHz、2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz、60MHz，功率范围小于10kW的半导体制造用等离子体工艺射频电源动态阻抗测试。
标准预览图
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