标准编号：T/CASAS 060-2025
中文名称：用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片
英文名称：GaN on Si epitaxial wafers for HEMT power devices
发布日期：2025-08-29
实施日期：2025-08-29
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人
向鹏、程凯、卢国军、叶念慈、刘成、刘扬、贾利芳、施宜军、刘强、贺致远、黄火林、王中党、曾凡明、康玄武、王钰、王文平、高伟
起草单位
苏州晶湛半导体有限公司、北京中博芯半导体科技有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中山大学、中国科学院半导体研究所、工业和信息化部电子第五研究所、北京大学东莞光电研究院、广东工业大学、大连理工大学、珠海镓未来科技有限公司、中国科学院微电子研究所，芯联集成电路制造股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准范围
本文件规定了用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片（以下简称“氮化镓外延片”）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于在硅衬底上生长的用于功率电子领域的具有复合结构的氮化镓外延片的研发生产，测试分析及质量评价。
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