标准编号：GB/T 30856-2025
代替以下标准：GB/T 30856-2014
中文名称：LED外延芯片用砷化镓衬底
英文名称：GaAs substrates for LED epitaxial chips
发布日期：2025-08-01
实施日期：2026-02-01
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：国家标准委
起草人
赵中阳、郑红军、刘建庆、孙雪峰、林作亮、刘强、赵春锋、彭璐、陈皇、冯佳峰、于会永、张双翔、闫宝华、马金峰、赵有文、徐宝洲、兰庆
起草单位
南京集溢半导体科技有限公司、广东先导微电子科技有限公司、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、大庆溢泰半导体材料有限公司、深圳市冠科科技有限公司、中山德华芯片技术有限公司、全磊光电股份有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、中国科学院半导体研究所、易事达光电（广东）股份有限公司、广东中阳光电科技有限公司
标准范围
本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。
本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。
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