标准编号：GB/T 32278-2025
代替以下标准：GB/T 32278-2015;GB/T 30867-2014
中文名称：碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
英文名称：Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers
发布日期：2025-08-01
实施日期：2026-02-01
提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
批准发布部门：国家标准委
起草人
佘宗静、彭同华、王波、杨建、刘小平、刘薇、汪传勇、赵文琪、何烜坤、王大军、贺东江、吴殿瑞、黄宇程、胡动力、黄兴
起草单位
北京天科合达半导体股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、连科半导体有限公司、派恩杰半导体（浙江）有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、安徽长飞先进半导体股份有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司
标准范围
本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。
本文件适用于厚度为0.13 mm ~ 1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。
标准预览图
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