标准编号：T/CASAS 048-2025
中文名称：碳化硅单晶生长用等静压石墨
英文名称：Iso-static graphite for silicon carbide single crystals
发布日期：2025-04-23
实施日期：2025-04-23
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人
屈睿航、周明、董博宇、吴厚政、李贺、杨牧龙、彭珍珍、张静、田涛、李殿浦、袁振洲、宁秀秀、侯晓蕊、杨弥珺、武雷、徐明升、张逊熙、刘涛、曹洪涛、赵正星、范金桃、孔令沂、曾一平、徐瑞鹏
起草单位
赛迈科先进材料股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、山东大学、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、杭州海乾半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准范围
本文件描述了碳化硅单晶生长用等静压石墨的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存等。
本文件适用于纯度要求达到5N5（质量分数99.9995%）以上的碳化硅单晶生长用或碳化硅粉体合成用等静压石墨，包括碳化硅单晶生长用加热器、坩埚、籽晶托等内部构件，以及碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件。
标准预览图
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