T/CASAS 037-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法

标准编号：T/CASAS 037-2024

中文名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法

英文名称：Gate charge test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors（SiC MOSFET）

发布日期：2024-11-19

实施日期：2024-11-19

团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草人

魏家行、曹钧厚、刘斯扬、孙伟锋、陈媛、毛赛君、刘惠鹏、孙博韬、王珩宇、王来利、王民、张太之、孙承志、丛茂杰、宋鑫宇、宋瑞超、孙钦华、刘海军、张雷、李钾、麦志洪、王晓萍、周紫薇、李梦亚、段果、李本亮、高伟

起草单位

东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、浙江大学、西安交通大学、智新半导体有限公司、苏州汇川联合动力系统股份有限公司、是德科技（中国）有限公司、芯联集成电路制造股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、中国电力科学研究院有限公司、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、江苏第三代半导体研究院有限公司、厦门华联半导体科技有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

标准范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的栅极电荷测试方法，包括测试原理测试电路、测试条件以及数据处理方法。

本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性测试等工作场景，可用于以下测试目标器件：a）增强型N沟道垂直SiC MOSFET分立器件晶圆级及封装级产品；b）含增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件的功率模块。

标准预览图