标准编号：T/CASAS 036-2025
中文名称：碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法
英文名称：Test method for purity of iso-static graphite components used in the growth of silicon carbide single crystals-Glow discharge mass spectrometry
发布日期：2025-04-23
实施日期：2025-04-23
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人
屈睿航、周明、董博宇、吴厚政、杨牧龙、彭珍珍、徐建平、田涛、李殿浦、袁振洲、宁秀秀、侯晓蕊、杨弥珺、武雷、徐明升、张逊熙、张静、孔令沂、曾一平、李娟
起草单位
赛迈科先进材料股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、山东大学、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、杭州海乾半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准范围
本文件描述了采用辉光放电质谱法测定等静压石墨构件纯度的方法，包括术语和定义、试验原理、试验环境、仪器设备、试剂与材料、试样、试验步骤、试验结果及试验报告。
本文件适用于单个杂质元素含量范围为0.01mg/kg~5mg/kg的碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度的测定，所述构件包括碳化硅单晶生长炉中的加热器、坩埚、籽晶托等内部构件。碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件，以及碳化硅外延生长用石墨基材的纯度测定可参考本文件。
标准预览图
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